ФотоЗахват - клуб фотолюбителей


Например: Широкоугольный объектив

Календарь:

«    Ноябрь 2019    »
ПнВтСрЧтПтСбВс
 
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
 

Популярное:

Ссылки по теме:

Другие ссылки:

Облако тегов:

adobe, canon, canon eos, casio, CES 2009, finepix, fujifilm, Kodak, lumix, nikon, olympus, panasonic, pentax, photoshop, PMA 2009, samsung, sigma, sony, вспышка, зеркалка, мыльница, новинка, обзоры фототехники, обработка фотографий, объектив, портрет, портфолио, слухи, съёмка, уроки фотографии, уроки фотошоп, фотоаппарат, фотограф, фотографии, фотография, фотокамера, фотокамеры, фотоработы, фотосъёмка, эффекты photoshop

Показать все теги

Опрос:

Если бы была услуга фототехники на прокат. Ваше действие...

Взял бы фотоаппарат
Взял бы фотообъектив
Взял бы фотоаппарат+объектив
Взял бы что-то протестить перед покупкой
Ничего бы не брал

Архив:


Создан объемный датчик изображения

Категория: Все новости » Фототехника |

Дополнительно:
Дата: 17 февраля 2009
Опубликовал(а): Snapshot
Источник: IXBT.com
Комментарии: 1 RSS
Обсудить на форуме
Версия для печати

На конференции по полупроводниковым микросхемам (ISSCC) специалисты из Массачусетского технологического института рассказали о датчике изображения, выполненном по технологии CMOS с применением технологии объемной компоновки.

Изделие, изготовленное с соблюдением норм 0,35 мкм, имеет разрешение 1024x1024 пикселей (1 Мп). Исследователи утверждают, что такие изделия можно объединять в массивы, получая датчики большего разрешения. В числе областей применения названо, в частности, разведывательное оборудование и охранные системы.

Объемная структура датчика сформирована из семи слоев, связанных между собой межслойными связями. Собственно, светочувствительные элементы, в роли которых выступают фотодиоды, находятся в первом слое. Удалив с этого слоя все остальные компоненты, разработчики смогли обеспечить коэффициент заполнения полезной площади до 100%. Во втором слое находятся цепи выборки и считывания, реализованные по технологии SOI-CMOS. На оставшихся пяти «этажах» разместились аналого-цифровые преобразователи (64 штуки, 12-разрядные, конвейеризованные), схема синхронизации, декодер адреса, интерфейсные и другие вспомогательные блоки. Датчик оснащен шиной I2C и двумя 12-разрядными интерфейсами LVDS, имеющими пропускную способность 512 Мбит/с.



Понравился материал? Подпишитесь на новые материалы по RSS или на e-mail рассылку


Ссылки на эту публикацию
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо войти на сайт под своим именем.

 (голосов: 0)

Другие новости по теме:

  • В Японии создан сверхчувствительный датчик изображения, в 100 раз превосход ...
  • Samsung очень скоро представит 14,6-Мп датчик изображения типа CMOS
  • Технология Ultra-Sense позволит снизить стоимость датчиков изображения типа ...
  • Разрабатывает ли Samsung полнокадровую DSLR?
  • Оцифровка фотоснимков без сканера
  • Камеры Olympus E-System не будут участвовать в «войне мегапикселей»
  • Процессор изображений STMicroelectronics STv0986 предназначен для мобильных ...
  • Компания Kodak выпустила первый в мире 50-Мп датчик изображения типа CCD
  • 3D-снимки обычным фотоаппаратом - новая идея
  • Вторая полнокадровая зеркальная камера Nikon D700


  • #1 написал :  MrSmithx

    23 февраля 2012 21:39 | ICQ: -- | Ссылка | , |


    Группа: Читатель
    Регистрация: 6.02.2012
    благодарю интересно

    благодарю интересно

    благодарю интересно